Estima-se que o mercado Transistor bipolar de porta isolada (IGBT) ultrapasse US$ 14,9 bilhões em um CAGR de 8,3% durante o período de previsão 2023 a 2033

Prevê-se que o valor de mercado dos transistores bipolares de porta isolada (IGBT) no Reino Unido aumente 8,1% CAGR e atinja US$ 522,2 milhões durante o período de previsão. O desenvolvimento do mercado da região é atribuído ao aumento das vendas de veículos elétricos e híbridos, bem como à tendência crescente de eletrificação e aumento dos preços da gasolina no Reino Unido.

NEWARK, Del, 09 de maio de 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- O tamanho do mercado global de transistor bipolar de porta isolada provavelmente será avaliado em US$ 6,7 bilhões em 2023. A crescente aplicação de transistores bipolares de porta isolada tecnologicamente aprimorados em vários setores está impulsionando crescimento de mercado. Estima-se que o mercado acumule US$ 14,9 bilhões em 2033, registrando um CAGR de 8,3% de 2023 a 2033.

Espera-se que o mercado global de transistores bipolares de porta isolada continue crescendo durante o período de previsão, impulsionado pelo aumento da demanda de fabricação industrial e eletrônicos de consumo.

Um dos fatores que impulsionam o crescimento do mercado de transistor bipolar de porta isolada inclui a crescente demanda por alternativas de transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (MOSFET) com maior compatibilidade com tensão e corrente.

Transistor bipolar de porta isolada (IGBT) ganhando popularidade em eletrônicos de consumo devido à sua capacidade de diminuir a perda de comutação e diminuir o estresse térmico em aparelhos elétricos. Os transistores bipolares de porta isolada são usados ​​em micro-ondas, sistemas estéreo e refrigeradores de velocidade variável, e espera-se que impulsionem o crescimento do mercado durante o período de previsão

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Os crescentes investimentos em eletrificação na Europa e na América do Norte provavelmente aumentarão a demanda por transistores bipolares de porta isolada. Espera-se que os crescentes avanços tecnológicos na indústria automotiva e o aumento das vendas de veículos eletrônicos em economias emergentes, como Índia e China, impulsionem o crescimento do mercado de transistor bipolar de porta isolada durante o período de previsão.

O aumento das aplicações na indústria de energia eólica e solar criou oportunidades para o crescimento do mercado. Espera-se que a crescente demanda por fontes de energia renováveis ​​impulsione o crescimento do mercado durante o período de previsão.

Principais conclusões:

Com base na classificação de potência, o segmento de alta potência responde por um CAGR de 8,6%.

Por tipo, espera-se que o segmento de módulos IGBT se expanda a um CAGR de 8,9% durante o período de previsão.

A América do Norte emergirá como um mercado promissor, capturando um CAGR de 8,3%.

A Ásia-Pacífico é um mercado oportunista, com expectativa de capturar um CAGR de 8,0% durante o período de previsão.

"Espera-se que a crescente demanda na indústria de uso final e a inovação tecnológica em transistores bipolares de porta isolada impulsionem o mercado no período de previsão. A crescente demanda pela indústria automotiva e o aumento das vendas de veículos elétricos em todo o mundo devem desempenhar um papel vital no fortalecendo o mercado", sugere um analista do FMI.

Cenário competitivo:

Jogadores proeminentes no mercado de transistores bipolares de porta isolada são Infineon Technologies AG; NXP Semiconductors NV; Microchip Technology, Inc.; Microsemi Corporation; Fuji Electric Co., Ltd. entre outros. Alguns dos desenvolvimentos recentes no mercado estão listados abaixo.

Em outubro de 2020, a Microchip Technology Inc. anunciou a aquisição da Tekron International Limited, líder global no fornecimento de tecnologias e soluções de cronometragem GPS e relógio atômico de alta precisão e soluções para redes inteligentes e outras aplicações industriais.

Em junho de 2021, a NXP Semiconductors NV, líder mundial em processamento automotivo, e a TSMC anunciaram o lançamento dos processadores de rede de veículos S32G2 da NXP e do processador de radar S32R294 para produção em volume na avançada tecnologia de processo FinFET de 16 nanômetros (nm) da TSMC.